中国半导体产业链最大短板是光刻机，目前上海微电子已经早早量产了90nm光刻机，并有望在未来两年内实现28nm光刻机的国产化替代。这将意味着，除了对性能功耗要求极高的手机产品外，其他产品也将不众所周知，目前国产最先进的光刻机是上海微电子的SSX600系列光刻机。其中最先进的型号是SSA600/20，在分辨率这里写的是90nm。也因为写着90nm，所以很多人争起来了，有人说最多就是
˙▂˙ SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工再看ASML,EUV光刻机达到了13.5nm,三次曝光后可以制造3nm制程的芯片，领先上海微电子4代。这样巨大的差距追赶起来难度是可想而知的。90nm光刻机从研制成功到量产，打磨了整整11年。
专业人士表示，在多次曝光工艺下，90nm光刻机可将芯片制程缩小至7nm，而ASML DUV光刻机的精度为38nm,多次曝光后，可将芯片制程缩小至7nm。上海微电子宣布国产光刻机取得突破的消息而前文提过的中电科45所，在2002年将分步投影光刻机团队整个入驻上海微电子(SMEE),承担国家“十五”光刻机攻关项目。就是这秉承了中国电科领域三代人、超过半个世纪的积淀与开拓，才有了现在完全自
目前，中国上海微电子已经能够量产90nm的光刻机，并即将交付28nm光刻机，经过技术改进，还可以制造出14nm的芯片。另外，清华大学在光刻机零部件方面同样取得了可喜的国产光刻机虽然只有90nm，但是已经对ASML产生影响当上海微电子交付90nm光刻机的消息传出之后，有网友认为技术过于落后，市场很难认可国产的90nm光刻机的。理论上讲上海微电子的90n
