氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，华天科技，作为全球领先的集成电路封测服务提供商，积极布局第三代半导体封装技术研发，在氮化镓材质封装领域，通过不断材料性能研究、试验实践，从结构设计、材料选择、过程工艺等不同阶段，筑起
三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一，是迄今为止理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。氮化镓器件主
氮化镓(GaN)及其宽禁带半导体同类——碳化硅(SiC)——已经在开始颠覆电力电子技术。然而，具有讽刺意味的是，就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不GaN,全称氮化镓(Gallium Nitride),是一种化合物半导体材料。GaN在晶体中的比例为1:1,即每个镓原子都与一个氮原子形成化学键。GaN具有广泛的应用领域，特别是在光
