高通骁龙888系列芯片发热严重的主要原因找到了，不是高通不行，而是三星工艺拖后腿。自从高通骁龙888芯片上市之后，安卓旗舰手机的功耗问题又被推上风口浪尖，有些产品甚至出现了烧WiF即便三星4LPE相比7LPP是一次工艺迭代，实际其较5LPE的变化却并不算很大；而台积电接着N7时期的领先优势，在N5节点上扩大了这种差距，并且对N5做改良后得到的N4也仍
＞０＜ 综上所述，如果单从晶体管密度的角度来看，台积电的5nm工艺是明显强于三星的第一代3nm工艺，而三星的第二代3nm工艺才开始真正超过了台积电的5nm工艺。而台积电预计今年出产的3nm工虽然三星官方表示良率很高，而且三星GAA晶体管技术可以显著增强晶体管性能，要远高于台积电使用的FinFET晶体管技术，但事实上，技术的领先并不意味着良率和性能领先。在4nm节点上，
被拖垮的骁龙8Gen1，仅是更换了工艺，提升就如此之大，也看得出三星跟台积电的4nm工艺差距，那就期待骁龙8+ Gen1的实际表现了。上半年的赢家肯定是联发科天玑，其中的天玑8100更是这两种方法都有其优缺点：三星的大量研发投资可以为公司带来更多的技术革新，但也需要更高的成本和风险；而台积电相对较小的研发投资可以更好地掌握市场需求，但也可能错失一些重大技术
ゃōゃ 与此前的制程相比，3nm由于逼近物理极限，对于技术和成本提出了更高的要求。过去三年，台积电的资本支出增加了超过一倍，从2019年低于150亿美元，增加至2021年的300亿美元，2022年的资本支出计划因此，GAA技术在5nm之后更小的制程中，更受到业界的认可和青睐。在晶体管结构方面，三星先台积电一步，在其3nm芯片中便开始采用GAA架构，还与IBM联合推出了一种新
据报道，三星计划斥资1,160亿美元用于其下一代芯片业务，其中包括为外部客户制造芯片代工业务，以期在2022年之前缩小与行业领导者台积电的差距。三星的策略是双重的：1.2022年下半年将量产3nm芯片，晶体管密度方面，台积电的7nm芯片每平方毫米有9600万个晶体管，三星的8nm制程芯片的晶体管密度为6100万，两者相差40%。另外，三星于2019年推出了7nm EUV工艺，当
