接着说产能，产能这一方面太宽泛了，毕竟三星晶圆产能很大部分是内存上，所以我们只谈先进的7nm、5nm，不谈10nm及以上的产能。从2020年的产能来看，7nm上，台积电约14万片每月，而据官方介绍，三星3nm工艺采用了更加先进的GAA环绕栅极晶体管，领先于台积电的FinFET技术。与目前的7nm工艺相比，三星3nm GAA技术的逻辑面积效率提高45%、性能提升
所以，从技术迭代的角度来看，三星使用的GAA是更先进的技术。二、从技术成果来看，台积电会更胜一筹。台积电选择更为成熟的FinFET技术，并不是表示台积电无法研发先进的GAA,只是为了此外，台积电的6纳米制程技术(N6)将于2020年第一季进入试产，并于年底前进入量产。随着EUV微影技术的进一步应用，N6的逻辑密度将比N7提高18%,而N6凭借与N7完全相
综上所述，如果单从晶体管密度的角度来看，台积电的5nm工艺是明显强于三星的第一代3nm工艺，而三星的第二代3nm工艺才开始真正超过了台积电的5nm工艺。而台积电预计今年出产的3nm工两家公司的工艺都非常优秀。然而，目前来看，台积电的工艺比三星更加优秀。
台积电由于自身战略规划，近期才开始量产3nm芯片。而且在技术上，三星大胆在3nm节点采用GAAFET(环绕栅极晶体管)技术，理论上更为先进，但技术更困难。而台积电在3在SoC技术方面，三星、英特尔、台积电可以说是一方独大，竞争激烈到难以想象。尤其是三星和台积电之间，三星在上月中旬宣布率先量产10nm(10nm LPE),并在本月初宣布
在技术上两家的选择也不同，三星在3nm节点就上了GAA环绕栅极晶体管技术，理论上更先进，台积电则要到2024年的2nm节点才会使用GAA晶体管，3nm还是FinFET晶体管技术的。三星目前量产很明显，先进工艺上，三星排第一，然后其它存储芯片厂商的产能也比台积电大。而台积电则是在成熟工艺，主要是20nm-0.11μm逻辑制程上，台积电排第一。至于中国大陆的中芯国际，也基
