因此，可以说荷兰ASML的光刻机是一个集多国技术之大成的产物。通过国际合作，ASML能够整合各国技术优势，提供高性能的光刻机设备，推动了半导体行业的发展。回过头来看，如果中国以不过从上海微电子官网了解到，这家企业现在已经具备研制90nm光刻机，可满足IC前道制造90nm关键层和非关键层的光刻工艺需求，但相比起目前最先进的5nm工艺，差距确实很明显。为什么
不敢进口给我国高端的机型，但是对自主研发这块，我国还是能够进行突破，我国哈工大公布了研发成果，表示能够解决7nm支撑的光刻机，还获得光电仪器首届“金燧奖”。值得注意的是，目前已经确认的消息是，国产光刻机是90nm制程，但依然处于研发阶段，差距在于光刻胶，因为我们在光刻胶上还处于起步阶段。国产光刻机想要取得更大的突破，就要认真面
˙０˙ 如果中国能够独立研发并生产出可用于5nm芯片的光刻机，这将表明中国在微电子制造领域的技术水平已经达到佳能5nm级别光刻机但是反观国内半导体企业，不得不一声叹息。自2014年推出半导体产业大基金以来，迄今为止已经过去了九年时间，不得不承认确实在芯片制造领域取得了不小的进步，但
锋利的！中科院5nm光刻技术取得突破，国产VCSEL光学芯片打破欧美垄断。技术领域的话语权决不能妥协。美国的禁令阻碍了我国的芯片发展。同时，也让大家意识到，想要有一些好的发展，还是除了此次取得突破的全自动12寸晶圆激光开槽设备，也包括中微半导体公司的刻蚀机设备。更多的清洗设备，物理薄膜沉积以及光刻机还处在提升国产化率阶段，或者加速探索更高端先进的工
据悉，目前尼康和佳能所推出的NIL光刻机，在芯片纳米级制程上可以达到5纳米，尽管距离EUV光刻机最先进的3纳米还存在一定的差距，但考虑到NIL技术日后改进的空间，超越EUV也并非不可但是该项技术离真正生产国产5nm光刻机还有很远的征途，但是被一些人宣称解决了7nm以下的光刻机难题。导致部分国人盲目乐观。二是上海微电子装备有限公司（SMEE）成功交付了第一台自
