＞０＜ 国产光刻机虽然只有90nm，但是已经对ASML产生影响当上海微电子交付90nm光刻机的消息传出之后，有网友认为技术过于落后，市场很难认可国产的90nm光刻机的。理论上讲上海微电子的90n9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长，从193纳米波长的深紫外(DUV)过渡到13.5纳米波长的极紫外(EUV)的
没想到的是，在9月14日，国产芯片再次传来振奋人心的好消息。上海经信委正式宣布，上海集成电路产业已经突破了14nm芯片制程，且实现了规模量产，对于正处爬坡破冰阶段的国产芯片而言，这无疑是继28nm制哈工大实验团队在国产DUV光刻机研发领域实现突破。成功解决了最后一个难关，现在能够自行建造光刻机的核心部件，这是一个重要的里程碑。此外，14纳米的光刻机，有望在今年内进行量产。
3月23日，某国产手机巨头将举办春季旗舰新品发布会，有爆料称其中一款手机会搭载国产14nm芯片，由国产制造商代工。这或许证明了国产浸润式光刻机真正量产投入使用。光刻机是制造芯值得注意的是，目前已经确认的消息是，国产光刻机是90nm制程，但依然处于研发阶段，差距在于光刻胶，因为我们在光刻胶上还处于起步阶段。国产光刻机想要取得更大的突破，就要认真面
介绍甘棕松教授团队成功研制出的9nm线宽光刻机甘棕松教授团队的9nm线宽光刻机标志着我国在光刻技术领域的重要突破。他们将双束OBL技术引入光刻机，使其能够实现更高的分辨率和更小国家光电实验室首次实现9nm 线宽光刻2016年底，华中科技大学国家光电实验室目前利用双光束在光刻胶上首次完成了9nm 线宽，双线间距低至约50nm 的超分辨光刻
其中DUV光刻机可以制作7nm以上工艺制程芯片，针对于成熟芯片均可实现量产，通过ASML的供应，我国目前也有一定数量的DUV光刻机，但由于我国芯片需求量巨大，所以不足以满足我国对DUV光刻机根据上海市传出的消息，上海企业实现了14nm芯片量产，90nm光刻机突破，以及在5nm刻蚀机，5G芯片等诸多半导体产业实现突破。另外上海集聚重点企业1000家，吸引国内40%的集成电路人才
