HfO2薄膜或涂层的制备方法及相应特点二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构，熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，
二氧化铪(HfO2)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可…baike|基于236个网页2. 二氧化铪陶瓷靶材而传统的铁电材料，如：PbZrxTi1-xO3等，所制作的铁电存取器在制造可实现高容量和可扩展性的更小的三维的功能元件上面临重要挑战，目前的技术最小只能达到130 nm。最近报道了掺杂及纯相
⊙﹏⊙‖∣° 产品应用二氧化铪(HfO2)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它最可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效二氧化铪二氧化氢是无机化合物，分子式为HfO2。这种无色固体也称为二氧化铪或铪，是最常见和最稳定的铪化合物之一。它是一种电绝缘体，带隙为5.3~5.7eV。二氧化铪是某些生产铪金属过程中的中间体。
(-__-)b HfO2,即二氧化铪(hafnium oxide或hafnia),是一种具有宽带隙、高介电常数的简单氧化物材料，长期以来被用于微电子、集成电路、介电器件的栅极绝缘层，并且极有可能替代目前广泛使用的S首先，HfO2是一种具有高介电常数的氧化物材料。它的介电常数在不同的制备条件下可能会有所变化，但通常在约20到30之间。此外，它具有很高的禁带宽度，约为5-6电子伏特。这个优点
