从技术层面来讲，90nm光刻机除了可以生产90nm制程工艺的芯片之外，如果曝光两次就可以达到45nm芯片的水平，如果曝光三次就可以达到22nm芯片的水平，只要将良品率控制在合理范围内，理论近日，哈工大也传来了一个重磅消息，高速超精密激光干涉仪自研成功，可以用于350nm-28nm的光刻机的样机。这也就意味着，哈工大通过自主研发，实现了光源技术的突破，打破了西方国家
≥ω≤ 所以说即使我们已经有足够生产更高端芯片的技术，但是缺乏生产的工具，整体来看我们依旧被限制，被卡脖子，国产光刻机的交付虽然只是28nm制程工艺的设备，在实际上是解决不了燃眉之急的，但是国产首先，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉仪，这机器可以实现350nm~28nm工艺制程的光刻机集成研制和性能测试。说简单点就是哈工大这新成果的出现，解决了我国光刻机光源壁垒，意
其中“二十八纳米的光刻机”就是指“193nm光源的浸润式光刻机，能够制造28nm芯片”。 工信部原部长李毅中确认“28籼米光刻机于2021年已经落地”工信部原部长李毅中确认“国产28纳米光刻机2021近日，国产光刻机厂商上海微电子在之前90nm的基础上，宣布即将量产28nmimmersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。immersion式光刻机就是浸没式光刻机，采用Ar
好在最终我们熬出来了！近日，国产光刻机厂商上海微电子在之前90nm的基础上，宣布即将量产28nm,预计在2023年正式交付使用。打开网易新闻查看精彩图片immersion式光刻机属于浸没式光刻机在芯片制造方面是必不可少的设备，28nm光刻机虽然也可以制造出芯片，但是这个水平很显然还是要远远落后于西方国家的。全世界的顶级光刻机全部都来自于ASML公司，这也是国内企业
