:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，将应用于1nm光刻机，预计2022年即可商用。责任编辑：xj 2020-12-07 17:07:10 上海微电子将在明年向国内芯片制造企业交付28nm光刻机据媒体报2月7日传来消息，上海微电子交付了中国首台2.5D / 3D先进封装光刻机。这台光刻机在应用于2.5D / 3D芯片封装时能发挥出关键作用，根据上海微电子的官微介绍可知，在全球市场领域，上海微电子的先进封
∩▂∩ 但由于我们发展光刻机产业的时间较晚，所以目前上海微电子的光刻机，最多只能支持90纳米工艺。然而就在近日，上海微电子已经成功出货一台光刻机，这被外媒解读为，ASML正被中企加速说再见。这么说上海微电子(SMEE) 做为国内拥有最先进的光刻机设计制造技术厂商，目前能达到的最高工艺节点(tech node) 是90nm。90nm是什么概念呢？大致相当于2004年2月年英特尔的奔
可以。目前中国最牛的光刻机生产商就是上海微电子装备公司(SMEE),它可以做到最精密的加工制程是90nm,相当于2004年最新款的intel奔腾四处理器的水平。别小瞧这个90nm制程的能目前，全球有四家企业可以独立研发制造光刻机，其中，上海微电子是国内厂商，而ASML是光刻机技术最先进的厂商。数据显示，ASML的光刻机几乎占领了全球中高端市场，尤其是ASML研发制
但据官网介绍，上海微电子能够生产数种前道光刻机，如ArF, KrF,i-Line。上海微电子比日本公司Canon更擅长制作ArF。而ArF的制程则最好达到90 nm，二次曝光45 nm，三次曝光22 nm。首先，没有7nm光刻机。其次，如果按照tsmc的标准，用nxt 1980 or nxt 2000型号搞的7nm制程，那SMEE
∩▽∩ 再看ASML,EUV光刻机达到了13.5nm,三次曝光后可以制造3nm制程的芯片，领先上海微电子4代。这样巨大的差距追赶起来难度是可想而知的。90nm光刻机从研制成功到量产，打磨了整整11年。这一点，ASML做到了，上海微电子能做到吗？据悉，上海微电子目前能够制造90nm光刻机，两次曝光后可以生产45nm芯片。与EUV光刻机的3nm芯片相差5代。但即便是相差5代，上海微电子的光刻机也无法确保
