近期，有国内知名媒体报导国产28nm光刻机即将于2023年底交付，该报导一时激起千层浪，被自媒体忽悠多年的国产光刻机终于迎来官媒的肯定，然而新华网的报导在全社会发酵多天后竟然删贴，但早已引起从以上情况来看，除光刻机外，国产的设备技术节点都可以达到28nm,有的已经达到14nm。据说，90nm光刻机通过多重曝光也可以做出28nm,只是成本高良率差。因此，最关键的还是要突破国产28n
以上，所谓“28nm光刻机”即是193nm浸润式光刻机。不过，这种光刻机的极限远不止28nm工艺制程，从工程实践应用上来看，已经可以量产7nm制程。如果可以克服重重困难，进一步优化光刻机结构，提高孔径数28nm光刻机领域突破不断国产化率日渐提升近日，有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W 2023-08-02 0
所谓“28nm光刻机”，应该是指193nm光源的DUV光刻机，可以用于加工28nm制程的芯片（也可以加工40nm、50nm之类的）。193nm光源去搞28nm芯片，就是用大铲子去刻细线，要在水里折射降如果没有高端的光刻机，自然是无法制造出来高端的芯片的。光刻机在芯片制造方面是必不可少的设备，28nm光刻机虽然也可以制造出芯片，但是这个水平很显然还是要远远落后于西方国家的。
≡(▔﹏▔)≡ 晶瑞顺利购得ASML XT 1900 Gi 型光刻机一台，可研发最高分辨率达28nm 的高端光刻胶调试。此外，这款ASML XT 1900 Gi 型ArF 浸入式光刻机可用于研发最高分辨率达28nm 的高端光刻据媒体报道指出上海微电子将在明年向国内芯片制造企业交付28nm光刻机，这代表着国产光刻机最先进的技术水平，国产光刻机在大幅缩短与海外的技术差距。由于华为的遭遇，国人对于芯片制
＞﹏＜ 从技术层面来讲，90nm光刻机除了可以生产90nm制程工艺的芯片之外，如果曝光两次就可以达到45nm芯片的水平，如果曝光三次就可以达到22nm芯片的水平，只要将良品率控制在合理范围内，理论最近有则消息听来振奋人心：我国第一台国产光刻机已通过专家验收并投入生产；此外，据说国产光刻机发展迅猛，大约在2035年左右能够实现极紫外线（EUV）光刻机的量产。如果状况属实
