中国在光刻机领域也有不少企业，比如中微公司、微创光电、九洲电子等，但目前仍没有企业能够生产13.5纳米波长的EUV光刻机。不过，中国在2018年完成了一台采用193首页发现业务合作创作者服务新闻中心关于我们社会责任加入我们中文万大叔关注我国造出新技术路线光刻机，实现22纳米工艺我国造出新技术路线光刻机，可实现22纳米工艺制程
我们国家投入那么大的人力资源财力和物力，现在都没有办法突破十四纳米的光刻机，比亚迪再厉害也做不到，所以根本不可能的事情，比亚迪自己研发芯片这个可以去做，但是说自己研制光刻机90纳米的光刻机，就是来自上海微电子，这也是我们国内唯一一个有可以量产光刻机的芯片半导体企业。中微是5纳米刻蚀设备的先驱，并且中微是世界上数一数二的企业，他们的5纳米刻蚀机
上图就是目前所有制程对应的光刻机，可以看到ArF Dry可以实现从130nm-55nm工艺的光刻；而浸润式光刻机（ArFi）可以实现45nm-7nm的光刻；5nm及以下就必须用到EUV光刻机了。所以我们实际上，哈工大的光刻机技术确实在不断发展中，但是它的水平还远远不能与国际顶尖水平相比。根据哈工大工程技术研究院的介绍，他们目前所研发的光刻机技术可以制造28纳米芯片。虽然这
⊙﹏⊙‖∣° 近年来，我国光刻机技术取得了长足的进步，不断向着更高精度、更小尺寸的方向发展。目前，国产最新光刻机的最小加工尺寸已经达到了10纳米级别。光刻机是一种利用据称，目前国内正在研发28nm精度的光刻机，那么经过2次曝光后，能够达到14nm，然后可以尝试性的进行第三次曝光，然后有可能迈入7nm。当然，以上只是猜测，因为精度越高的光刻机，
