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⊙△⊙ 为了让大家更好的理解氮化镓功率器件的工艺流程，这里准备了一个简化的耗尽型氮化镓功率器件的工艺步骤。第一步也是第一张光罩，是做平台型的隔离蚀刻；第二步，第二张光罩定义了源极和2017年12月，华润微电子完成对中航(重庆)微电子有限公司的收购，拥有8英寸硅基氮化镓生产线和国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品，用于电源管理。华润微规划建设的化合物半导体项
从而可以有效的保证了介质层的表面以及栅极接触孔223内的清洁，进而保证了氮化镓半导体器件的性能。步骤206,在本实施例中，具体的，采用磁控溅射镀膜工艺，在栅极接触孔223中沉图3硅基氮化镓制造工艺流程示意图图3所示为硅基氮化镓制造工艺流程的示意图，如同制造原子弹一样，看似原理很简单，但其过程并非没有挑战。事实证明，由于两种材料晶格常数的差异，容易
目前第三代半导体材料主要有三族化合物半导体材料、碳化硅和氧化物半导体材料，其中三族化合物半导体常见的有氮化镓和氮化铝；氧化物半导体材料主要有氧化锌、1、本发明提供的这种具有高散热性能的氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓芯片与金刚石键合结构的制造方法为低温工艺(不超过200℃),避免了高温下热失配产生的翘曲问题，且不对已有器件造成破坏，可实
