中国现在打算大力研制光刻机也是近两年的事情。就目前来说，我国最顶尖的光刻机也就是国际上2005年左右的光刻机最顶尖水平，差距在15年左右。所以很多人认为，我国应该会在十来年所以当前国内明面上的光刻机水平就是90nm，就算多重曝光，最多也就是28nm，考虑到ASML的DUV光刻机是不受限的，估计没谁买90nm的，来生产28nm。所以，差距真的是非常非常大。事实
一、我国光刻机最高水平是多少nm
综上所述，中国最先进的光刻机是22纳米，尽管中国在EUV光刻机方面已经取得了一定进展，但其量产和商业化进程仍然较为缓慢，未来随着中国技术的高速发展，相信中国很快也能生产7纳米的光所以我们取最高工艺的那一项，也就是说ArF Dry最多也就是实现55nm，是无法实现45nm及以下的，一旦进入45nm，就必须有浸润式光刻机才行，而目前我们还没有掌握浸
二、我国光刻机最高水平是多少2022
我国光刻机的最高水平是上海微电子的90nm制程，世界顶尖的光刻机是ASML的7nmEUV光刻机，ASM已经开始研制5nm制程的光刻机。相对来说，我国在光刻机制造领域与国际生产我国光刻机，代表光刻机生产最高水平的是上海微电子的前道光刻机，目前可以生产90nm芯片，而正在研发65nm的芯片设计，这样的升级难度比从0到90nm低得多，所以预计很快就可以生产65nm
三、中国成功生产5纳米光刻机
国产90nm光刻机的技术水平国产90nm光刻机可以生产最高55nm的芯片。这样的分辨率虽然不能说是最先进的，但是对于一些低功耗、低成本、中低端的芯片，完全可以胜任。一些人表示，通光刻机，应该是当前国内最关注的半导体设备了，原因在于国内技术相比于国际领水水平，应该是差距最大的，且也是严重被卡脖子的设备，美国联合荷兰、日本对先进光刻机进行封锁。目前
