上海微电子的193nm ArF浸没式DUV光刻机SSA800(对标产品为ASML 2018年推出的DUV光刻机：TWINSCAN NXT:2000i),首台样机已于2023年1月通过专家验证，2月发往下游工厂试用。另，上海微电子的SSX600系列光注：SSA800/10W对标产品为ASML 2018年推出的TWINSCAN NXT:2000iNXT:2000i DUV光刻机类型：深紫外光刻机制程：7-14纳米效率：1小时275片。如果消息属实，则SSA800可用于14纳米制程，不
: 发信人：matrass (matrass), 信区：NewExpress : 标题：上海微电子的193nm ArF浸没式DUV光刻机SSA800 : 发信站：水木社区(Sun Apr 30 03:37:51 2023), 站内--FROM 114.2设定的时间为2020年12月验收193纳米ArF浸入式DUV光刻机，其制程工艺为28纳米”，即网络上流传已久的28纳米光刻机，其对标产品为阿斯麦尔(ASML)现阶段仅次于EUV光刻机、TWINSCAN NXT:2
而好消息是新华社6月29日报道：由上海微电子自主设计制造的我国首款DUV光刻机SSA800已经进入量产阶段。要知道，DUV光刻机作为我国中端芯片制造产业链中最坚固的堡垒，它的量产代表着虽然早在2020就有消息称上海微电子的国产DUV光刻机SSA800即将在2021年下线。然而，实际机器的交付已经延迟到了现在。据《电子技术设计》报道，上海微电子装备(集团)股份有限公司(以
上海微电子装备在研国产最好的DUV光刻机，成功后可以用于11nm制程，项目名称叫SSA800/10W。长春光电所在研国产最好的EUV光刻机，成功后是用于7nm及以下制程的。当然，光刻机并不是做首先简单科普下这种光刻机，DUV是深紫外光的英文缩写，深紫外光波长193nm,通过透镜成像，以及折射原理可达到28nm曝光效果，然后再利用双工作台进行多次曝光原理，最高可达到7nm,阿
