DUV光刻机又有两大路线，一是ASML为代表的浸润式光刻机，以水为介质，采用193nm波长的光线，在水中折射后，变成132nm。还有一种是干式光刻机，以空气为介质，采用157nm波长的光线，一般来讲，DUV基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，但是却无法达到10nm以下。只有EUV
另外，按照目前业界理解，不受出口限制的DUV将停留在对准精度2.5纳米的水平。ASML已经出货的DUV光刻机中对准精度最高的是1.5nm的NXT:2050i。所谓对准精度”是指目前国产光刻机属于DUV光刻机，DUV光刻机光源为准分子激光，根据技术不同，DUV光刻机波长可以分为365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米。目前国产90nmDUV光刻机波长应该是在193
DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻机则不会如此，其介质为空气。而EUV光刻机则是光刻机在国内市场已经占据了很大的份额，这是国产光刻机取得的进步。但在代表光刻机技术水平的晶圆制造光刻机方面，上海微封装可以生产90nm工艺的光刻机，这是国内
我们国产光刻机的研发从90纳米的DUV光刻机开始一路突破65纳米、55纳米直至22纳米量产。22纳米是个分水岭，它是DUV光刻机光源的极限。虽然DUV光刻机光源的最小只能达到22纳米的光刻该光刻胶可以直接支持到7纳米工艺芯片的制造，而7纳米也是DUV光刻机所被应用的极限工艺，所以我们可以看出，在ARF光刻胶上，我们已经实现了全工艺覆盖的国产化，打通了DUV光刻机所
