近日，有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。上海微电子#光刻机#28nm光刻机
而新华网此次曝光的这台SSA/800-10W光刻机，就是28纳米ArFi浸润式光刻机，也就是说，我们有望使用国产光刻机，生产出7纳米的芯片。当然，更先进的EUV光刻机实现7纳米制程，制备流程更少，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方
燕东12寸线2023..2023年夏季，全国产28nm级的DUV光刻机实现量产(上微电SSA800),2023年底之前，全国产14nm级的EUV光刻机开始量产。2024年全国产EUV光刻机开始大规模生产3nm手机芯片！据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。据传此代光刻机类似于
据新华网7月31日消息，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。这条消息还透露，国家知识产权局此前公布了一项华为新的专利“反近日，有消息称，上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反admin 业界
