90nm的光刻机并不是只能生产90nm的芯片，它经过两次曝光可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm近日，中企传来好消息，确实让“美日荷联盟”始料未及，上海微电子自主研发的封测光刻机顺利搬入，同兴达科技企业一共向ASML公司采购了两台封测光刻机，目前首台光刻机已经交付，成
反过来，这也要求上海微电子必须要加快推出45nm甚至28nm的光刻机设备，应对当前的市场挑战，因为原本要求不高的功率半导体，现在也在加速进行制程升级了。那么到底上海微电子2021年里也就是说，上海微电子交付的全新一代先进封装光刻机的作用是很大的。上海微电子官宣交付首台先进封装光刻机之后，就有外媒表示，ASML说的没错。据悉，ASML目前是光刻机领域内的领先
(#｀′)凸 2021年，市场传出上海微电子研制成功28nm光刻机，经过三次曝光后可以制造出7nm工艺的芯片，这绝对是重大进步。但这则消息没有得到上海微电子的确认。国产光刻机仍在进步，但是距离13.5国产90nm光刻机早已商用，DUV浸润式光刻机的主要技术也都攻克了，光源、镜头、双工件台都有了，沉浸式65nm、45nm和28nm的DUV光刻机国产化是迟早的事。而最先进的EUV光刻机(7nm以
前道光刻机主要用于芯片光刻，面对的客户是中芯国际，台积电这种。而后道光刻机主要用于芯片封装，面对的客户是长电科技这种。进入21世纪，我国早就布局前道光刻机的研发，上海微电子也据悉，上海微电子目前能够制造90nm光刻机，两次曝光后可以生产45nm芯片。与EUV光刻机的3nm芯片相差5代。但即便是相差5代，上海微电子的光刻机也无法确保稳定性。这就是为什么内地的晶圆厂更愿意选
