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ssa600光刻机,中国现在能做几nm芯片

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到了2007年,上海微电600系列光刻机问世,型号主要包括SSA600/20、SSC600/10和SSB600/10三款,可满足90nm-280nm关键层和非关键层的光刻工艺。600系列的推出距今也有15年的时间了,SSA600/20 SSC600/10 SSB600/10 SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,可满足IC前道制造90nm、110nm

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在这则新闻报道中,清华方面表示:我国在14nm及以下工艺制程的光刻机仍依赖于进口。关注国产光刻机的朋友应该了解,目前国产光刻机的最先进型号,是来自上海微电子的SSA600/20,该已知的,现有的最先进自主光刻设备,是上海微电子(SMEE)在2017~2018年间通过国家验收的SSA600/20型前道光刻机。该设备的分辨率为90nm,通过“N+1”可用于45nm制程半导体器件的生产。

众所周知,目前国产最先进的光刻机是上海微电子的SSX600系列光刻机。其中最先进的型号是SSA600/20,在分辨率这里写的是90nm。也因为写着90nm,所以很多人争起来了,有人说最多就是上海微电子已经量产的SSA600系列光刻机分辨率为90纳米,技术参数上与佳能相当,研制中的SSA800浸润式光刻机则追赶上了尼康的脚步,一旦研制成功将成为世界第三家能够生产浸润式光刻机

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