正因如此，中国能够拥有可以生产28纳米芯片的光刻机，才能让包括ASML在内的，诸多国外光刻机公司为之感到不可思议。除此之外，当国产光刻机拥有了7纳米芯片的产能之后，也将意味着西方国目前中芯国际刚刚投产的N+1先进芯片工艺（7纳米）正需要高端光刻胶，而国产企业在高端光刻胶上的成功量产意味着国产7纳米芯片又突破了一项关键材料的封锁。为完全国产化的7纳米芯
中国已经可以量产14纳米，7纳米、5纳米先进工艺受限于EUV光刻机的供应一直备受阻碍，不过近期的诸多消息上海微电子装备目前生产的光刻机仅能加工90纳米工艺制程芯片，这已经是国产光刻机最高水平。而ASML已经量产7纳米制程EUV光刻机，至少存在着十几年的技术差距。
,中国最好的光刻机厂商上海微电子装备有限公司(SMEE)已经量产的光刻机中，性能最好的SSA600/20工艺只能达到90nm,相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准。而国外的先进水平已经达到了7纳根据目前的技术看来，这一项激光干涉仪可以用于350纳米到28纳米工艺的光刻机集成研究和性能测试，这也就意味着中国能够在集成电路上实现弯道超车，通过这一技术的发展，想要为之后的
除此之外中芯国际还在7纳米芯片的研发领域获得了重要突破，他们采用了最新技术，需要使用原先的光刻机，也能够生产出芯片。众所周知光刻机一向是制约中芯国际发展的重要设备之一，中国买不到性能更为优秀的光刻机，目前的制作工艺也就停滞在了14nm。正是因此，光刻机也就在我们国家战略的一部分，可即便如此，也仍然无法在技术上实现跨越式的突破。中国目前最为强
＞△＜ 此项技术可适用于低成本的薄膜法光刻机以及高端的纳米光刻系统，可加速我国光刻机核心部件的国产化进程。我国芯片研制技术势必会赶超西方国家随着我国科技创新能力的不断提升，我光刻机可以分为两大类：干式光刻机和湿式光刻机，其中，最先进的是EUV光刻机。国内目前只有上海微电子能够生产28 nm及以上制程的光刻机，即将量产，并且可以通过多重曝光制造7纳米
