当需要生产7纳米芯片时，前提得是光刻机可以支持7纳米芯片的生产，不然设计出7纳米的芯片也没有用。euv光刻机目前几纳米中国5纳米光刻机突破了吗大家都知道，芯片制造的核心设备之一就是光刻机了。现在，全球最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机，那么euv光刻机目前几纳米呢？到现在
所以光刻机只能到3纳米。如果要突破3纳米，那就只有放弃现有的基带系统，选用直径更小的元素，而且必须世界光刻机目前根据不同工艺可以分别做到14 nm 和5nm以下。目前最高端的EUⅤ光刻机波长13.5nm,曝光精度14nm,釆用平面工艺，也就是14nm,釆用finfet工艺可达5nm
全球精度最高的光刻系统，线宽小到只有0.768 纳米。台积电的2 纳米制程工艺计划会在2025 年量产，再往后的高端芯片制造将会朝着什么方向发展？最近，已有实验室提出不到一纳米的5纳米，也就是euv极紫外光光源波长的光刻机，这也是第一代euv光刻机，所以直接就是按光源波长来计算纳米数值。13.5的纳米可以制作22纳米以下制程的芯片，目前量产
是90纳米。查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰A世界光刻机目前根据不同工艺可以分别做到14nm和5nm以下。目前最高端的EUⅤ光刻机波长13.5nm,曝光精度14nm,釆用平面工艺，也就是14nm,釆用finfet工艺可达5nm以下。
