是90纳米。查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰A最强光刻机？制程工艺的提升，主要依赖于EUV光刻机。目前，世界上能够生产EUV光刻机只有ASML一个独苗。其最新研发的0.55NA EUV光刻机，已经成为了芯片头部制造企业（台积电、三星和
所以根据光源的变化，光刻机共分为了5代，分别是最早的436纳米光刻机，然而第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是13.5纳米波长的EUV光刻机。需要说现在，国内光刻机的分辨率能够达到毫米戳记的30纳米。结合现有的技术能够将图像精确的刻制在亚微米尺度上，实现LED和IC元器件产品的微细加工力学制造。随着技术的发展，国内光刻
而荷兰ASML光刻机之所以如此受欢迎，是因为它生产的芯片，制作工艺可以达到5nm。而我国此前制造的光刻机，技术水平还停留在90nm左右。正因为此，这次国产22纳米光刻机的出现，才让很目前全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了，它是荷兰ASML公司的极紫外光刻机(EUV),是目前全球最顶尖的光刻机设备。中国目前最先进的光刻机应该是22nm
从技术进展层面上来说，ASML新出的EUV光刻机可用于试产7 nm制程，SMEE已量产的光刻机中性能最好的是能用来加工90 nm芯片的SSA600/20光刻机。参考来源：电子发烧友、与非网、SMEE官网、中国最好的光刻机厂商上海微电子装备有限公司(SMEE)已经量产的光刻机中，性能最好的SSA600/20工艺只能达到90nm,相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准。而国外的
